RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB против SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
41
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.8
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2394
2696
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link