RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
3140
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link