RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сравнить
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
-->
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
12.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.9
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3044
3609
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link