RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2354
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link