RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2354
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link