RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
10.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2124
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link