RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
3317
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link