RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.7
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
3505
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link