RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.5
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
62
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
1586
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link