RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
39
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.9
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
11.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2729
2782
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link