RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
71
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
71
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
11.5
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
1650
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link