RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
比較する
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
総合得点
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
総合得点
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
71
周辺 61% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
15.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
6.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
71
読み出し速度、GB/s
18.2
15.6
書き込み速度、GB/秒
11.5
6.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3067
1650
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB RAMの比較
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link