RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
9.5
Скорость записи, Гб/сек
20.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
1949
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link