RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 45
    Около 36% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    24 left arrow 6.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    20.0 left arrow 6.3
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 45
  • Скорость чтения, Гб/сек
    24.0 left arrow 6.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    20.0 left arrow 6.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    4156 left arrow 1499

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
модули RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
модули RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
модули RAM