RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сравнить
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
36
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
36
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
13.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3679
3169
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link