Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB

-->

Средняя оценка

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 19.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,066.5 13.5

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 49

Около -133% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 21
Скорость чтения, Гб/сек

4,577.1 19.5
Скорость записи, Гб/сек

2,066.5 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

737 3512

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

модули RAM