RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.9
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
3291
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link