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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
35
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2126
3291
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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