RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
53
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.1
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
53
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
10.1
Скорость записи, Гб/сек
7.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1891
2319
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link