RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2221
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link