RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.7
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
14.1
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2434
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link