RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2509
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link