RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
59
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
59
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
9.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link