RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
11.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2238
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link