RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2238
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link