RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.9
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
8.8
Скорость записи, Гб/сек
7.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2083
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link