RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
72
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.6
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
72
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
9.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
4.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1438
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link