RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
75
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
75
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1735
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link