RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
65
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
45
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2414
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link