RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3632
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link