RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3733
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link