RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.8
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3733
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link