RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link