RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link