RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4235
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link