RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
24
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
20
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
19.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4235
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
INTENSO 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link