RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3697
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link