RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
22.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
16.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3697
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link