RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Inmos + 256MB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Inmos + 256MB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Inmos + 256MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
16800
Около 1.14% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
16800
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2318
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Inmos + 256MB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Inmos + 256MB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link