RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2504
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information TS256MSQ64V6U 2GB
Corsair CMX16GX3M2A1333C9 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team--Elite-1333 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link