RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2653
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB Сравнения RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link