RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,077.3
10.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
61
Около -97% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
2408
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link