RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link