RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2583
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link