RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3224
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link