RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1771
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link