RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2140
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 994083 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link