RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2140
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Inmos + 256MB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link