RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3042
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link