RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3008
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link